目前,美国麻省理工学院的神经系统科学家发现使老鼠忘记糟糕记忆的一种化学方法,通过抑止“记忆基因”—— Npas 4,他们发现老鼠能够“忘记”此前遭受电击的笼子。
通过弱化“记忆基因”——Npas 4,科学家发现老鼠可以“忘记”曾遭受电击的笼子。他们认为现已更近一步地发现存储长期记忆的大脑区域,并掌握一种控制记忆的技术。
科学家认为这项研究现已逐渐接近长期记忆存储的大脑区域,并掌握一种技术能够控制它们的记忆。同时,他们表示这种基因对于所有类型的记忆具有至关重要的作用。这是一项我们理解大脑的突破性研究,可能开启改变或者建立记忆的一种新途径。未来这项研究或将应用于人类。
为了调查记忆形成的基因机制,研究人员对进入一个特制笼子的老鼠进行了轻微的电击,在数分钟之内,老鼠很快对这个特制笼子产生了恐惧,当下一次它们进入这个笼子时,就会全身发抖,Npas 4基因将强化激活。
当研究人员弱化Npas 4基因,发现老鼠不能记起令它们恐惧的状况。同时,研究人员能够进一步理解大脑存储记忆的区域。当记忆“存储”在大脑中,Npas 4基因将启动,同时这将是开启部分大脑区域存储记忆的化学方式,甚至对于个别大脑细胞——神经元细胞产生存储单独记忆。
研究人员称,我们正在搜寻这种记忆,目前我们认为能够找到与记忆相关的根源基因。当人们体验一种新的事件时,大脑通过改变神经元细胞之间的连接将编码形成一种记忆。
当事件再次发生时,更多的基因将被激活,但是其中的记忆“主基因”将特别重要。该基因在海马体中部分被激活,该大脑结构被认为对于形成长期记忆至关重要。
弗雷德里克和卡罗尔-米德尔顿大脑和认知科学发展林副教授说:“这种基因将连接事件体验至大脑神经系统的最终变化。”
据悉,这支美国麻省理工学院研究小组还计划调查是否形成记忆和恢复记忆是同一种神经元细胞。这将有助于精确查明存储特殊记忆的神经元细胞。
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本文的目的是为了探讨注射用甲苯磺酸奥马环素的无菌方法开发及验证。通过采用薄膜过滤法,使用1mol·L-1硫酸镁溶液对样品及所用培养基进行处理,pH 7.0 氯化钠蛋白胨缓冲液(含 0.1% 组氨酸、0.3% 卵磷脂和 3% 吐温 80)进行冲洗,有效地消除了样品的抑菌性。得出的结论为采用 1 mol·L-1 硫酸镁溶液及 pH 7.0 氯化钠蛋白胨缓冲液(含 0.1% 组氨酸、0.3% 卵磷脂和 3% 吐温 80)可以有效地消除注射用甲苯磺酸奥马环素的抑菌性能,可以将该方法用于注射用甲苯磺酸奥马环素的无菌方法验证。
作者:印萍
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